候选拓扑材料 GdAgGe 的电子结构与物理性质

我们生长了 GdAgGe 的针状单晶，其结晶为非中心对称的六方晶体结构，空间群为 P$\overline{6}$2$m$ (189)。$H \perp c$ 的磁化率数据显示出两个明显的反铁磁转变，分别在 $T_{N1}$ = 20 K 和 $T_{N2}$ = 14.5 K。对于 $H \parallel c$，磁化率异常不太明显。$T_{N1}$ 处的转变伴随着明显的热容异常，证实了磁转变的体性质。在 $T_{N1}$ 以下，电阻率数据遵循 $T^{3/2}$ 依赖关系。在磁有序态中，GdAgGe 表现出正的横向磁阻，随温度降低和磁场增加而增大，在 9 T 和 10 K 时达到约 27% 的值。霍尔电阻率数据和电子能带结构计算表明，空穴和电子载流子均对输运性质有贡献。电子能带结构在费米能级附近显示出线性能带交叉。计算揭示 GdAgGe 具有鼓面表面态耦合非零贝里相的节线，使其成为一种非平凡节线半金属。