单晶 NbAs 的磁输运
材料科学
2015-06-24 v1
摘要
我们报道了在 NbAs 单晶上零磁场和外加磁场下的输运测量。在这种四方结构平面内，横向和纵向磁电阻在高达 9 T 时均不饱和。在横向构型 (, ) 下，2 K 时磁电阻为 230,000\%。霍尔系数在室温下为类空穴型，在 150 K 以下变为类电子型。基于单带近似在 2 K 计算得到的电子载流子密度和迁移率分别为 1.8 x 10 cm 和 3.5 x 10 cm/Vs。这些数值与报道的 TaAs 和 NbP 的数值相近，并进一步强调这类非中心对称、过渡金属单氮族化合物是探索 Weyl 半金属性质及其新颖电子结构后果的一个有前景的体系。
引用
@article{arxiv.1503.07571,
title = {Magnetotransport of single crystalline NbAs},
author = {N. J. Ghimire and Yongkang Luo and M. Neupane and D. J. Williams and E. D. Bauer and F. Ronning},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.07571},
year = {2015}
}
备注
accepted in J. Phys.: Condens. Matter