单晶 YSb 的磁输运

我们报道了关于立方 YSb 单晶的磁场依赖输运测量及其电子结构的第一性原理计算。横向磁电阻在高达 9 T 时未饱和，并在 1.8 K 下达到 75,000 % 的值。霍尔系数在高温下为类电子型，在 110 至 50 K 之间变号为类空穴型，并在 50 K 以下再次变为类电子型。第一性原理计算表明，YSb 是一种补偿半金属，其电子结构与同构的 LaSb 和 LaBi 定性相似，但具有更大的费米面体积。基于单带近似，在 1.8 K 下测量的电子载流子密度和计算的霍尔迁移率分别为 6.5$\times10^{20}/$cm$^{3}$ 和 6.2$\times10^{4}$cm$^{2}$/Vs。这些值与报道的 LaBi 和 LaSb 的值相当。像 LaBi 和 LaSb 一样，YSb 在特征温度 T$_{m}$ 以下经历磁场诱导的类金属-绝缘体转变，并在 13 K 以下出现电阻率饱和。厚度依赖的电阻测量显示电阻行为偏离正常金属的预期；然而，它们并未明确确立表面传导作为电阻率平台的机制。