非中心对称 CaAgBi 单晶中的弱反局域化

我们报道了拓扑半金属 CaAgBi 的单晶生长与输运性质，其结晶为六方 $ABC-$型结构，属非中心对称空间群 $\mathit{P6_3mc}$（No. 186）。在六方晶体结构基面内通电流的横向磁电阻测量显示，于 10 K、14 T 外加磁场下，I // [10-10] 方向约 30%，I // [1-210] 方向约 50%。磁电阻在低磁场区呈现尖点状行为，表明在低于 100 K 的温度下存在弱反局域化效应。霍尔测量显示主要载流子为 $p$ 型，在高达 14 T 的磁场中呈线性行为，并可用单带模型解释。CaAgBi 的磁电导基于修正的 Hikami-Larkin-Nagaoka（HLN）模型分析。我们在密度泛函理论框架下的第一性原理计算揭示，CaAgBi 支持拓扑狄拉克半金属态，其狄拉克点位于旋转轴上、略高于费米能级，并受 $C_{6v}$ 点群对称性保护。费米面由电子与空穴口袋共同构成。然而，空穴口袋尺寸远大于电子口袋，表明主导的 $p$ 型载流子，与我们的实验结果一致。