Y(Lu)PtBi 拓扑绝缘体中的大线性磁电阻与弱反局域化
材料科学
2015-02-04 v2
摘要
拓扑绝缘体是一类新型狄拉克材料，具有体绝缘和表面导电的特性，以其表面独特的电子性质而闻名。在此，我们展示了高质量单晶 Y(Lu)PtBi Heusler 拓扑绝缘体的磁输运性质，这类材料属于临界温度 Tc = 0.8 K 的非中心对称超导体群。两种化合物在 2 K 时均表现出半金属行为，YPtBi 的低电荷载流子浓度为 6 x 10^18 cm^-3，LuPtBi 为 8 x 10^19 cm^-3。倾斜磁场下的磁电导测量表明，电荷载流子通过量子干涉进行输运。这为 50 K 以下的弱反局域化提供了直接证据，并给出了表面输运的强烈特征。最重要的是，这些化合物在 10 K、60 T 磁场下表现出约 2000% 的极高未饱和线性磁电阻。
引用
@article{arxiv.1502.00604,
title = {Large linear magnetoresistance and weak anti-localization in Y(Lu)PtBi topological insulators},
author = {Chandra Shekhar and Erik Kampert and Tobias Foerster and Binghai Yan and Ajaya K. Nayak and Michael Nicklas and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.00604},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 8 figures, some reference numbers were missed in the text