拓扑非平凡半金属 LuPdBi 中的弱反局域化效应与非中心对称超导性
强关联电子
2014-08-08 v1 超导电性
摘要
最近有大量半赫斯勒化合物被提议作为具有可调物理性质的三维 (3D) 拓扑绝缘体 (TIs)。然而，由于体电导的主导贡献，在这些半赫斯勒候选材料中尚未观察到与拓扑表面态相关的输运测量。在此，我们表明，通过降低体载流子的迁移率，在拓扑非平凡半金属 LuPdBi 的磁导率倾斜磁场依赖性中，实验上揭示出了二维 (2D) 弱反局域化 (WAL) 效应，这是拓扑表面态的标志之一。除了观察到 2D WAL 效应外，在同一块体 LuPdBi 中还揭示了 K 的超导转变。在广义 BCS 理论框架下的定量分析得出结论：LuPdBi 的非中心对称超导性是完全能隙的，并可能具有非常规的配对特征。超导性与拓扑表面态输运信号在同一块体合金中的共存表明，LuPdBi 是拓扑超导体的一个非常有希望的候选者。
引用
@article{arxiv.1408.1543,
title = {Weak Antilocalization Effect and Noncentrosymmetric Superconductivity in a Topologically Nontrivial Semimetal LuPdBi},
author = {Guizhou Xu and Wenhong Wang and Xiaoming Zhang and Yin Du and Enke Liu and Shouguo Wang and Guangheng Wu and Zhongyuan Liu and Xi Xiang Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.1543},
year = {2014}
}
备注
20 pages, 5 Figs. Accepted by Scientific Reports