过渡金属碲化物 Ta₂Pd₃Te₅ 中的弱反局域化
材料科学
2024-11-08 v1
摘要
我们报告了关于层状范德瓦尔斯拓扑晶体绝缘体 Ta₂Pd₃Te₅ 的输运研究。高温下温度依赖的电阻由体绝缘带隙主导，并在低温下趋于饱和。低温磁输运表明 Ta₂Pd₃Te₅ 在垂直方向和并行方向均表现出弱反局域化（WAL）效应，表明 WAL 效应同时来自拓扑边缘态和体态的贡献。通过测量各向异性磁电导并减去体态的贡献，与拓扑边缘态相关的 WAL 效应可以基于二维 Hikami-Larkin-Nagaoka 模型被揭示并定量分析。我们的结果对理解 Ta₂Pd₃Te₅ 中的 WAL 现象具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2411.04375,
title = {Weak antilocalization in the transition metal telluride Ta$_2$Pd$_3$Te$_5$},
author = {Wen-He Jiao and Hang-Qiang Qiu and Wuzhang Yang and Jin-Ke Bao and Shaozhu Xiao and Yi Liu and Yuke Li and Guang-Han Cao and Xiaofeng Xu and Zhi Ren and Peng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.04375},
year = {2024}
}
备注
8 pages, 5 figures