Ce2PdGe3 中的复杂磁性与强电子关联

报道了对新型四方化合物 Ce$_{2}$PdGe$_3$ 的单晶 X 射线衍射、磁化率、热容和电阻率测量结果，该化合物结晶于空间群 $P4_{2}/mmc$ (\#131)，属于 $\alpha$-ThSi$_2$ 型结构的同族物。测量揭示了在 $T_{\rm{N,1}}$ $=$ 10.7 K 和 $T_{\rm{N,2}}$ $=$ 9.6 K 处的两阶段反铁磁相变，以及随后在 $T_{\rm{C}}$ $\approx$ 2.25 K 附近的铁磁有序。有序的基态源于与传导电子杂化的 Ce 离子晶格，这一点由增强的比热电子系数 $\gamma$ $\approx$ 50 mJ/mol-Ce-K$^2$（外推至 $T$ $<$ $T_{\rm{C}}$ 时的 $T$ $=$ 0）所证实。电子结构计算表明，费米能级附近的态密度中存在显著的 f 电子权重，且费米面包含具有不同嵌套矢量的片层。化学/结构无序也起着重要作用，单晶 X 射线衍射结果、$T_{\rm{N}}$ 和 $T_{\rm{C}}$ 处热容峰的宽度以及较小的剩余电阻率比 RRR $=$ $\rho_{\rm{300K}}$/$\rho_{\rm{0}}$ $=$ 1.8 均证明了这一点。