准二维半导体Mg$_3$Si$_2$Te$_6$的晶体与电子结构
材料科学
2022-11-21 v1 强关联电子
摘要
我们报道了基于Si的三元半导体MgSiTe的合成与表征，其呈现准二维结构，其中三角MgSiTe层被Mg离子隔开。我们进行了紫外-可见吸收光谱与密度泛函理论计算以研究其电子结构。实验测得的直接带隙为1.39 eV，与密度泛函理论计算值一致。我们的结果表明MgSiTe是具有较窄带隙的直接带隙半导体，是红外光电子器件的潜在候选材料。
引用
@article{arxiv.2207.05936,
title = {Crystal and electronic structure of a quasi-two-dimensional semiconductor Mg$_3$Si$_2$Te$_6$},
author = {Chaoxin Huang and Benyuan Cheng and Yunwei Zhang and Long Jiang and Lisi Li and Mengwu Huo and Hui Liu and Xing Huang and Feixiang Liang and Lan Chen and Hualei Sun and Meng Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.05936},
year = {2022}
}
备注
5 pages, 5 figures