Sb2Te3 的电子能带结构
材料科学
2024-04-19 v2
摘要
本文报道了拓扑绝缘体 Sb2Te3 外延生长薄膜的朗道能级光谱研究，并辅以椭偏仪和磁输运测量。观测到的响应表明，Sb2Te3 是一种直接带隙半导体，其基本带隙位于 \Gamma 点或沿三重轴方向，在低温下其宽度达到 Eg = 190 meV。我们的数据还表明，在导带和价带中均存在具有更高简并度的其他低能极值。基于我们实验数据的结论与使用 GW 方法计算的电子能带结构进行了对比，并在很大程度上得到了证实。
引用
@article{arxiv.2312.07402,
title = {Electronic band structure of Sb2Te3},
author = {I. Mohelsky and J. Wyzula and F. Le Mardele and F. Abadizaman and O. Caha and A. Dubroka and X. D. Sun and C. W. Cho and B. A. Piot and M. F. Tanzim and I. Aguilera and G. Bauer and G. Springholz and M. Orlita},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.07402},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 8 figures, to be published in Phys. Rev. B