Sb2S3中压力诱导的电子拓扑转变
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
利用拉曼光谱、电阻率以及可用的X射线衍射研究文献，研究了宽禁带半导体Sb2S3 (Eg = 1.7-1.8 eV)中压力诱导的电子拓扑转变，其晶体对称性(SG: Pnma)与其著名类似物Sb2Se3相似。在本报告中，分别研究了Sb2S3的振动和输运性质直至22 GPa和11 GPa。我们观察到声子模Ag(2)、Ag(3)和B2g的软化以及它们在4 GPa处线宽的尖锐反常。电阻率研究也显示在此压力附近存在反常。电阻率和拉曼线宽的变化可归因于费米面拓扑的改变，后者诱导了电子-声子和强声子-声子耦合，表明Sb2S3中电子拓扑转变(ETT)的明确证据。从文献获得的a/c比图的压力依赖性在~5 GPa处显示极小值，这与我们的高压拉曼和电阻率结果一致。最后，我们给出了高压下Sb2S3中不存在非平庸拓扑态的合理原因。
引用
@article{arxiv.1508.02516,
title = {Pressure induced electronic topological transition in Sb2S3},
author = {Y. A. Sorb and V. Rajaji and P. S. Malavi and U. Subbarao and P. Hadappa and S. Karmakar and Sebastian C. Peter and C. Narayana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.02516},
year = {2016}
}
备注
24 pages, 6 Figures, 2 tables submitted for publication