CsV3Sb5 在高压下高度稳健的再入超导性
超导电性
2021-04-23 v2
摘要
本文展示了笼目结构 CsV3Sb5 在原位高压下的超导特性与结构稳定性。对于初始 SC-I 相，其 Tc 从 3.5 K 迅速增强至 7.6 K，随后在 P~10 GPa 处被完全抑制。进一步增加压力，SC-II 相在 P~15 GPa 出现并持续至 100 GPa。Tc 迅速增至 P=53.6 GPa 时的最大值 5.2 K，并在 P=100 GPa 时相当缓慢地降至 4.7 K。由此得出 CsV3Sb5 中 Tc 的双穹顶状变化。拉曼测量表明，进入 SC-II 相时无相变发生，E2g 模减弱而 A1g 模增强，这得到声子谱计算结果的支持。电子结构计算揭示，施压可能弥合 EF 附近拓扑表面非平庸态的能隙，即 Z2 不变量。同时，它显著增大费米面，与载流子密度增加一致。本文发现指出，电子结构的变化和增强的电子-声子耦合应是压力诱导再入超导的原因。
引用
@article{arxiv.2103.13759,
title = {Highly-robust reentrant superconductivity in CsV3Sb5 under pressure},
author = {Xu Chen and Xinhui Zhan and Xiaojun Wang and Jun Deng and Xiao-bing Liu and Xin Chen and Jian-gang Guo and Xiaolong Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.13759},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 figures