Sb_2Se_3中压力诱导的拓扑量子相变
介观与纳米尺度物理
2014-01-07 v3 材料科学
摘要
基于第一性原理能带结构计算，我们研究了静水压力对常规绝缘体Sb_2Se_3的影响，并预测其在临界压力值下经历从常规绝缘体到非平凡拓扑绝缘体的拓扑量子相变。通过计算体带隙随压力的演化、能带结构的反转、Z_2拓扑不变量以及狄拉克型拓扑表面态的存在，确认了压力诱导的拓扑量子相变。我们的预测可以通过光谱和输运实验进行检验。
引用
@article{arxiv.1304.3336,
title = {Pressure induced topological quantum phase transition in Sb_2Se_3},
author = {Wei Li and Xin-Yuan Wei and Jian-Xin Zhu and C. S. Ting and Yan Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.3336},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 table