BiTeI 中压力诱导的拓扑量子相变的特征

Xiaoxiang Xi; Chunli Ma; Zhenxian Liu; Zhiqiang Chen; Wei Ku; H. Berger; C. Martin; D. B. Tanner; G. L. Carr

doi:10.1103/PhysRevLett.111.155701

BiTeI 中压力诱导的拓扑量子相变的特征

材料科学 2013-10-09 v3

作者: Xiaoxiang Xi , Chunli Ma , Zhenxian Liu , Zhiqiang Chen , Wei Ku , H. Berger , C. Martin , D. B. Tanner , G. L. Carr

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摘要

我们利用 X 射线粉末衍射和红外光谱报道了在极性半导体 BiTeI 中观察到压力诱导的拓扑量子相变的两个特征。X 射线数据证实 BiTeI 在高达 8 GPa 的压力下保持其常压结构。晶格参数比 c/a 在 2.0–2.9 GPa 之间出现最小值，表明 pz 带的交叉增强了 c 轴键合，这与相变期间的预期一致。在同一压力范围内，红外光谱显示载流子光学谱权重的最大值，反映了半导体能隙的闭合与重新打开。这两个特征都是拓扑量子相变的特征，并且与最近的理论提议一致。

关键词

拓扑量子相变 BiTeI X 射线衍射红外光谱能隙压力诱导

引用

@article{arxiv.1305.0959,
  title  = {Signatures of a Pressure-Induced Topological Quantum Phase Transition in BiTeI},
  author = {Xiaoxiang Xi and Chunli Ma and Zhenxian Liu and Zhiqiang Chen and Wei Ku and H. Berger and C. Martin and D. B. Tanner and G. L. Carr},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1305.0959},
  year   = {2013}
}

备注

revised final version

BiTeI 中压力诱导的拓扑量子相变的特征

摘要

关键词

引用

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