HgTe量子阱中压力和温度驱动的相变
材料科学
2016-12-07 v2
摘要
我们展示了对生长在 CdTe 缓冲层上的 HgTe 量子阱中压力和温度驱动相变的理论研究。使用 8 带 \textbf{kp} 哈密顿量，我们计算了在不同量子阱宽度下，静水压力高达 20 kBar、温度高达 300 K 时的能带结构演化。特别地，我们表明除温度外，调节静水压力可实现半金属、能带绝缘体和拓扑绝缘体相之间的转变。我们实际的能带结构计算揭示，在静水压力和温度下的能带反转可能伴随导带和价带之间的非局域重叠。给出了压力和温度相图。
引用
@article{arxiv.1607.03083,
title = {Pressure and temperature driven phase transitions in HgTe quantum wells},
author = {S. S. Krishtopenko and I. Yahniuk and D. B. But and V. I. Gavrilenko and W. Knap and F. Teppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.03083},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 8 figures + Supplemental material (5 pages)