基于HgTe的拓扑绝缘体器件的设计原理
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1
摘要
理论上研究了CdTe/HgTe/CdTe量子阱的拓扑绝缘体性质。CdTe/HgTe/CdTe量子阱在超过临界阱宽时表现为拓扑绝缘体。研究表明，如果用不同化学计量比的合金CdHgTe替换势垒（CdTe）和阱区（HgTe），临界宽度可以改变。临界量子阱宽度依赖于温度、外加应力、生长方向和外电场。基于这些结果，提出了一种新颖的器件概念，通过施加适度的外电场，可以在正常半导体态和拓扑绝缘体态之间切换。
引用
@article{arxiv.1302.5716,
title = {Design principles for HgTe based topological insulator devices},
author = {Parijat Sengupta and Tillmann Kubis and Yaohua Tan and Michael Povolotskyi and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5716},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 13 figures