HgTe 量子阱中温度诱导的拓扑相变
材料科学
2018-02-27 v3
摘要
我们报告了在 HgTe 量子阱中直接观测到平凡绝缘体与拓扑绝缘体之间温度诱导的拓扑相变。通过使用门控霍尔棒器件，我们在不同温度下测量并以扇形图表示朗道能级，并追踪了一对特殊的“零模”朗道能级的温度演化，这对能级从类电子和类空穴子带的边缘分裂出来。它们在临界磁场 处的交叉是量子阱中能带结构反转的特征。通过测量 的温度依赖性，我们直接提取了临界温度 ，在此温度下体带隙消失并发生拓扑相变。高于此临界温度时，可以清楚地观察到平凡带隙的打开。
引用
@article{arxiv.1710.06666,
title = {Temperature-induced topological phase transition in HgTe quantum wells},
author = {A. M. Kadykov and S. S. Krishtopenko and B. Jouault and W. Desrat and W. Knap and S. Ruffenach and C. Consejo and J. Torres and S. V. Morozov and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretskii and F. Teppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.06666},
year = {2018}
}
备注
5 pages + Supplemental Materials; Phys. Rev. Lett. (accepted)