SnTe 中温度诱导拓扑相变的探索：一项第一性原理研究
材料科学
2020-07-01 v2 其他凝聚态物理
摘要
利用第一性原理方法计算了拓扑晶体绝缘体 SnTe 的体带结构的温度重整化。我们显式包含了热膨胀引起的电子态修饰及其能带反转对电子-声子相互作用的影响。我们表明直接带隙随温度降低，因为热膨胀和电子-声子相互作用均驱动 SnTe 随温度升高趋向拓扑平庸相的相变。由电子-声子相互作用引起的带隙重整化在材料接近相变时表现出对温度的非线性依赖，而带边附近导带态的寿命随温度呈现非单调行为。这些效应应对 SnTe 及其他拓扑绝缘体中的体电子与热电输运具有重要影响。
引用
@article{arxiv.2004.11959,
title = {Towards temperature-induced topological phase transition in SnTe: A first principles study},
author = {José D. Querales-Flores and Pablo Aguado-Puente and Đorđe Dangić and Jiang Cao and Piotr Chudzinski and Tchavdar N. Todorov and Myrta Grüning and Stephen Fahy and Ivana Savić},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.11959},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 8 figures. Accepted for publication in Phys. Rev. B on June 8, 2020