HgTe 量子阱的温度依赖磁光谱研究
介观与纳米尺度物理
2016-10-19 v2
摘要
我们报道了在高达 45 T 的磁场和 4.2 K 至 185 K 的温度范围内对 HgTe 量子阱的磁光谱研究。我们观察到了来自零模朗道能级的带内和带间跃迁，这些能级从导带底部和价带顶部子带分裂出来，并在外加磁场下合并。为了描述实验结果，我们进行了实际的朗道能级温度依赖计算。我们表明，尽管我们的样品仅在低温下是拓扑绝缘体，但在高温和强磁场下，此类相的特征仍持续存在于光学跃迁中。我们的结果表明，温度依赖磁光谱是区分 HgTe 量子阱中平庸绝缘体相和拓扑绝缘体相的有力工具。
引用
@article{arxiv.1606.05485,
title = {Temperature-dependent magnetospectroscopy of HgTe quantum wells},
author = {A. V. Ikonnikov and S. S. Krishtopenko and O. Drachenko and M. Goiran and M. S. Zholudev and V. V. Platonov and Yu. B. Kudasov and A. S. Korshunov and D. A. Maslov and I. V. Makarov and O. M. Surdin and A. V. Philippov and M. Marcinkiewicz and S. Ruffenach and F. Teppe and W. Knap and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky and V. I. Gavrilenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.05485},
year = {2016}
}