GaAs中随温度变化的电子朗德g因子和带间矩阵元
材料科学
2009-05-26 v5 其他凝聚态物理
摘要
我们利用自旋量子拍光谱法，在低激发密度和2.6至300 K的温度范围内，对GaAs中的电子朗德g因子进行了高精度测量。结合已有的随温度变化的有效质量数据，在常见的五能级kp理论框架内，带间矩阵元的温度依赖性可以一致地描述这两个参数。带间矩阵元随温度升高而显著减小，这一结果一致地弥合了实验与理论之间长期存在的差距，并显著改善了对这两个参数的建模。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608534,
title = {Temperature dependent Electron Land\'e g-Factor and Interband Matrix Element in GaAs},
author = {J. Hübner and S. Döhrmann and D. Hägele and M. Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608534},
year = {2009}
}