GaAs量子点接触中平台电导偏离理想量子化的温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们展示了在0.3 K至10 K温度范围内GaAs量子点接触平台电导温度依赖性的详细实验研究。由于浅刻蚀技术产生的强横向限制，我们能够观察到以下出乎意料的特征：测得的平台中部电导呈线性温度依赖性。我们讨论了基于2D-1D转变区域中非弹道效应引起的随温度变化的内禀串联电阻的解释。这些结果在来自不同GaAs/GaAlAs异质结构的几个样品中得到了重现，并在不同的实验装置中观察到。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208452,
title = {Temperature dependent deviations from ideal quantization of plateau conductances in GaAs quantum point contacts},
author = {A. E. Hansen and A. Kristensen and H. Bruus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208452},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 6 figures; to appear in proceedings of ICPS 2002, Edinburgh