介观器件夹断电压的温度诱导偏移
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
对少模区介观 GaAs 器件电导的详细实验研究揭示了一种新的热效应：在温度至少高达 10 K 时，测量的栅极特性，即电导 随栅极电压 的变化，表现出栅极电压随温度升高而系统性向下偏移。该效应是“普适的”，即在不同的调制掺杂 GaAs/GaAlAs 异质结构、不同的器件几何形状以及使用不同的测量装置中均观察到了该效应。我们的观察表明，该效应源于周围的二维电子气，而非介观器件本身。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209465,
title = {Temperature induced shift in the pinch-off voltage of mesoscopic devices},
author = {A. E. Hansen and A. Kristensen and H. Bruus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209465},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures