GaAs/AlGaAs 调制掺杂结构中电场梯度诱导效应及高频传感
材料科学
2009-09-29 v2
摘要
在 4–300 K 温度范围内，研究了各种设计的非对称面内形貌 GaAs/AlGaAs 调制掺杂结构中的电场梯度效应。结果表明，这类结构在低温（4–80 K）下的电流-电压特性表现出显著的不对称性，这是由于二维电子气中存在两种不同的电场梯度所致。该现象由两方面原因引起：结构非对称形状导致的二维电子的不同积累，以及电子漂移速度的非局域性。实验结果由唯象模型和蒙特卡洛模拟加以说明。该效应在探测 GHz 和 THz 频率的电磁辐射方面的潜在应用也进行了讨论。
引用
@article{arxiv.0711.0474,
title = {Electric field gradient induced effects in GaAs/AlGaAs modulation-doped structures and high frequency sensing},
author = {D. Seliuta and A. Juozapavicius and V. Gruzinskis and S. Balakauskas and S. Asmontas and G. Valusis and W. -H. Chow and P. Steenson and P. Harrison and A. Lisauskas and H. G. Roskos and K. Koehler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.0474},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 13 figures; version 2 -- greek letters in figures corrected