补偿 GaN 在电子流条件下的电学和高频特性
光学
2013-02-08 v1
摘要
详细分析了在补偿体 GaN 中产生电子流效应和光学声子渡越时间共振所需的条件。进行了高频微分电子迁移率的蒙特卡洛计算。结果表明，在太赫兹频率范围内，在 30-77 K 的低晶格温度和 3-10 kV/cm 的外加电场下，可以实现负的动态微分迁移率。揭示了电子流效应的新表现，即动态微分迁移率的各向异性以及扩散系数在垂直于外加电场方向上的特定行为。发展了太赫兹辐射通过具有外延 GaN 层的结构的传输理论。获得了在 0.5-2 THz 频率范围内电磁波放大的条件。发现了在高于 1 kV/cm 的电场下辐射透过结构的偏振依赖性。
引用
@article{arxiv.1302.1671,
title = {Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions},
author = {G. I. Syngayivska and V. V. Korotyeyev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1671},
year = {2013}
}
备注
16 pages, 13 figures