InGaAs 纳米线在太赫兹频率下的非线性电荷输运
介观与纳米尺度物理
2020-06-24 v1 材料科学
摘要
我们利用具有宽带太赫兹脉冲且峰值电场高达 0.6 MV/cm 的光学泵浦/太赫兹探测光谱，探测了 GaAs/In0.2Ga0.8As 核/壳纳米线壳层在高电场下的电子输运性质。光激发电荷载流子的等离子体共振在太赫兹驱动场超过 0.4 MV/cm 时表现出系统的红移及其谱权重的抑制。该行为归因于谷间电子散射，导致平均电子有效质量增加，并在最高电场下电子迁移率相应降低约 2 倍。我们证明有效质量的增加沿纳米线是非均匀的，主要发生在其中间部分，导致空间非均匀的载流子响应。我们的结果量化了基于 GaAs 的纳米线中的非线性输运 regime，并显示了它们在开发工作于太赫兹频率的纳米器件方面的巨大潜力。
引用
@article{arxiv.2004.00484,
title = {Nonlinear Charge Transport in InGaAs Nanowires at Terahertz Frequencies},
author = {Rakesh Rana and Leila Balaghi and Ivan Fotev and Harald Schneider and Manfred Helm and Emmanouil Dimakis and Alexej Pashkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.00484},
year = {2020}
}
备注
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