高迁移率 InAs 纳米线无结晶体管中的载流子输运

理解和建模纳米线晶体管性能极限的能力是设计下一代器件的关键。在此，我们报道了关于高迁移率无结全环绕栅纳米线场效应晶体管的研究，其载流子迁移率在室温下达到 2000 cm2/V.s。温度依赖的输运测量揭示了由于表面施主导致的低温激活输运，而在室温下输运表现出扩散行为。根据电导数据，提取出的 InAs 纳米线中的声速值比块体低一个数量级。这一低声速归因于这些纳米线中普遍存在的扩展晶体缺陷。通过分析温度依赖的迁移率数据，我们确定了限制这些纳米线中载流子输运的关键散射机制。最后，利用这些散射模型，我们进行了基于漂移-扩散的纳米线场效应晶体管输运模拟，并将器件性能与实验测量进行了比较。我们的器件建模深入揭示了 InAs 纳米线晶体管的性能极限，并可用作基于纳米线的集成电路的预测方法。