真实尺寸硅纳米线器件中热输运的原子模拟
材料科学
2013-05-08 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用原子晶格动力学和散射理论，我们研究了由10 nm厚硅纳米线制成的纳米器件中的热输运，纳米线长度从10 nm到100 nm不等，夹在两个体储层之间。我们发现，由于接触界面的声子散射，器件中的热输运与悬浮的延伸纳米线有显著差异。我们表明，通过改变纳米线的表面粗糙度和长度，可以将热导和声子输运机制从弹道输运调节到扩散输运。在包含短晶体线的器件中，会发生声子隧穿，并增强超过单个接触的热导。
引用
@article{arxiv.1206.6254,
title = {Atomistic simulations of heat transport in real-scale silicon nanowire devices},
author = {Ivan Duchemin and Davide Donadio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.6254},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 5 figures