Ge/Si核/壳纳米线场效应晶体管的性能分析
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1
摘要
我们使用半经典弹道输运模型和sp3s*d5紧束缚处理电子结构，分析了最近报道的Ge/Si核/壳纳米线晶体管的性能。将去除串联电阻效应后的器件实测性能与假设弹道输运的模拟结果进行比较，表明实验器件在弹道极限的60%至85%之间运行。对于这种直径约15 nm的Ge纳米线，我们还发现在室温下，在ION/IOFF=100的导通电流条件下，有14-18个模式被占据。要在<110> Ge纳米线晶体管中观察到真正的一维输运，纳米线直径必须远小于约5 nm。这里描述的方法应该有助于在共同的基础上分析和比较不同材料和结构的纳米线晶体管。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611226,
title = {Performance Analysis of a Ge/Si Core/Shell Nanowire Field Effect Transistor},
author = {Gengchiau Liang and Jie Xiang and Neerav Kharche and Gerhard Klimeck and Charles M. Lieber and Mark Lundstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611226},
year = {2015}
}