Ge-SixGe1-x核壳纳米线场效应晶体管的缩放特性
介观与纳米尺度物理
2010-11-03 v1 材料科学
摘要
我们展示了具有高掺杂源极和漏极的高性能Ge-SixGe1-x核壳纳米线场效应晶体管的制造，并系统研究了它们的缩放特性。高掺杂的源极和漏极区域通过低能硼注入实现，这使得有效的载流子注入成为可能，且接触电阻远低于纳米线电阻。我们提取了关键器件参数，如本征沟道电阻、载流子迁移率、有效沟道长度和外部接触电阻，并对器件开关速度和开/关电流比进行了基准测试。
引用
@article{arxiv.0912.1827,
title = {Scaling Properties of Ge-SixGe1-x Core-Shell Nanowire Field Effect Transistors},
author = {Junghyo Nah and En-Shao Liu and Kamran M. Varahramyan and Davood Shahrjerdi and Sanjay K. Banerjee and Emanuel Tutuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.1827},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 4 figures. IEEE Transactions on Electron Devices (in press)