标度理论付诸实践：掺杂硅纳米线输运的第一性原理建模
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们将标度理论和普适电导涨落的思想与密度泛函理论相结合，以分析掺杂硅纳米线的电导特性。具体而言，通过计算平均自由程、样品平均电导 <G> 以及样品间涨落 std(G) 随能量、掺杂浓度、线长和径向掺杂分布的变化，我们研究了硼 (B) 或磷 (P) 掺杂硅纳米线中从弹道输运到扩散输运的交叉过渡。我们的主要发现是：(i) 基于单个掺杂原子的散射特性可以定量预测主要趋势；(ii) 样品间涨落依赖于能量但不依赖于掺杂浓度，从而表现出一定程度的普适性；(iii) 在扩散区，DMPK 理论的解析预测与我们的第一性原理计算结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.0706.3795,
title = {Scaling theory put into practice: first-principles modeling of transport in doped silicon nanowires},
author = {Troels Markussen and Riccardo Rurali and Antti-Pekka Jauho and Mads Brandbyge},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.3795},
year = {2009}
}
备注
Accepted for PRL