电掺杂二维晶体管的缩放理论
介观与纳米尺度物理
2015-10-23 v3
摘要
本快报表明，现有的用于化学掺杂晶体管的缩放理论无法应用于新型的电掺杂二维晶体管，且等效氧化物厚度 (EOT) 概念不再适用。因此，基于二维泊松方程的解析解，开发了一种新颖的缩放理论。全带原子级量子输运模拟验证了该理论，并表明关键设计参数是物理氧化物厚度和栅极间距。相应地，最优化的电掺杂器件是那些栅极间距最小且氧化物最薄的器件，而不是具有最小 EOT 的器件。
引用
@article{arxiv.1504.03387,
title = {Scaling Theory of Electrically Doped 2D Transistors},
author = {Hesameddin Ilatikhameneh and Gerhard Klimeck and Joerg Appenzeller and Rajib Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.03387},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 2 Figures