栅极可调横向二维 pn 结：其静电学的解析研究
介观与纳米尺度物理
2023-02-07 v1
摘要
本文研究了考虑通过两个分离底栅进行静电掺杂影响的二维（2D）横向 pn 同质结的静电学。在考虑耗尽近似的条件下，通过求解二维泊松方程获得了解析表达式。针对对称和非对称情况，得到了介电层和二维半导体内的静电势和耗尽宽度的简明解析模型。与化学掺杂器件的情况不同，静电掺杂器件的耗尽宽度模型不依赖于介电常数，而仅取决于静电势和氧化层厚度。这些模型描述了任意偏置下栅极可调二维 pn 结的静电学。通过与基于 MoS2 的 pn 结的数值器件仿真进行基准测试，验证了这些解析模型。
引用
@article{arxiv.2302.02794,
title = {Gate Tunable Lateral 2D pn Junctions: An Analytical Study of Its Electrostatics},
author = {Ferney A. Chaves and Anibal Pacheco-Sanchez and David Jimenez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.02794},
year = {2023}
}