全耗尽 SOI 双栅 NMOS-PMOS Flexible-FET 阈值电压控制的物理基解析建模
材料科学
2014-04-16 v1
摘要
本文提出了一种显式解析方程，通过求解具有适当边界条件的二维 Poisson 方程并结合 Young 抛物线近似，展示了柔性阈值电压场效应晶体管（Flexible-FET）的顶栅阈值电压随 JFET 底栅电压的变化。所提出的模型与 n 沟道和 p 沟道 180nm Flexible-FET 的实验结果均表现出极好的一致性。观察了阈值电压随几个重要器件参数（氧化物和硅沟道厚度、掺杂浓度）的变化，其结果与 SILVACO 仿真得到的结果在定性上相符。
引用
@article{arxiv.1211.4564,
title = {A Physically Based Analytical Modeling of Threshold Voltage Control for Fully-Depleted SOI Double Gate NMOS-PMOS Flexible-FET},
author = {Nadim Chowdhury and Zubair Al Azim and Imtiaz Ahmed and Iftikhar Ahmad Niaz and Md. Hasibul Alam and Quazi D. M. Khosru},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.4564},
year = {2014}
}
备注
4 pages, EIT 2012-IUPUI conference