纳米片与纳米线 FET 中电子沟道密度的基于物理的解析建模
介观与纳米尺度物理
2022-01-03 v2 材料科学
摘要
我们提出一种通用的基于物理的方法，用于精确解析计算场效应晶体管中作为外部栅偏压函数的沟道电荷密度。该方法基于对基本静电方程作为电势与化学势平衡的一致考量，使我们能够以统一方式获得连续描述纳米片（对称与非对称）与纳米线 FET 亚阈值与高于阈值区域的显式解析表达式。一致地引入并讨论了两种概念上不同的唯象阈值电压定义。
引用
@article{arxiv.2007.05332,
title = {Analytical Physics-Based Modeling of Electron Channel Density in Nanosheet and Nanowire FETs},
author = {G. I. Zebrev and D. S. Malich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.05332},
year = {2022}
}
备注
Revised version of paper, 6 pages, 7 figures, 22 references