薄膜场效应晶体管沟道中电荷流动的动力学
材料科学
2015-06-05 v3 其他凝聚态物理
摘要
薄膜场效应晶体管沟道中的局域电导率正比于由局域栅极电压感应的电荷密度。我们展示了在“零外加电流”条件下（即漏-源电压为零，电荷由施加于栅极的方波电压感应，并假设恒定迁移率和可忽略的接触阻抗），这如何决定沟道中感应电荷的频率和位置依赖性。沟道中心感应电荷频率依赖性的一个近似表达式可方便地用于确定电荷迁移率。文中以有机晶体管中感应电荷的电光测量拟合作为示例。
引用
@article{arxiv.1205.0214,
title = {Dynamics of Charge Flow in the Channel of a Thin-Film Field-Effect Transistor},
author = {E. G. Bittle and J. W. Brill and J. P. Straley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.0214},
year = {2015}
}
备注
9 pages including table + 3 figures; submitted to Jnl. Appl. Phys