用于多进制计算的硅基场效应晶体管导电沟道中载流子的量子化
介观与纳米尺度物理
2024-02-06 v2
摘要
最新的场效应晶体管正进入一个由于尺寸不断缩小，导电沟道内的量子效应可能发挥显著作用的领域。我们研究了尺寸接近当前使用的晶体管导电沟道中量子化态的影响。我们使用硅基金属氧化物半导体场效应晶体管的标准配置作为简化模型，以估计量子化相对于导电沟道尺寸的影响。该研究展示了不同尺寸组合下漏极电流的模拟结果，其中在室温下可获得作为外加栅极偏压函数的可区分电流水平。预计相同的尺寸定性依赖关系适用于尺寸接近此范围的最先进晶体管架构，例如鳍式场效应晶体管和全环绕栅极场效应晶体管。结果表明，利用导电沟道中的量子化态进行多值计算，在目前的尺寸下已成为可能。
引用
@article{arxiv.2401.15070,
title = {Quantization of Charge Carriers in Conduction Channels of Si-Based Field-Effect Transistors for Multinary Computation},
author = {P. Xu and H. Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.15070},
year = {2024}
}
备注
This is a revised version from our first submitted version