有机场效应晶体管通道中的极化效应
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1
摘要
我们报告了对动态电荷载子与电子极化以及在栅极界面上引起的晶格位移相互作用作用的计算结果。我们发现，这些相互作用在以高介电常数介质（如Ta₂O₅）为栅极的掺脂晶体管的准二维通道中，将电荷载子的有效带宽缩小为其体态值的一半，而使用聚合物栅绝缘体时，这种缩减几乎消失。这些结果表明，载子质量色散引起的介电效应正是最近在有机场效应晶体管中报告的迁移率变化的原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510751,
title = {Polarization effects in the channel of an organic field-effect transistor},
author = {H. Houili and J. D. Picon and M. N. Bussac and L. Zuppiroli},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510751},
year = {2009}
}
备注
19 pages, 3 figures