非局域电导率栅极调控所致长程场效应的直接观测
介观与纳米尺度物理
2016-10-26 v3
摘要
我们报道了在WTe器件中观测到一种意外的长程场效应，其导致比静电屏蔽长度厚得多的晶体的输运性质发生大的栅极诱导变化。该现象——其表现形式与常规场效应截然不同——源于器件厚度小于载流子平均自由程时输运的非局域性质，因为表面散射起主导作用。我们在理论上重现了所测量的经典和量子磁输运的栅极依赖性的所有细节，并表明该现象是由栅极通过改变表面散射来调控体载流子迁移率所引起的。我们的结果展示了在导电材料内部深处栅极调控电子性质的可能性，避免了静电屏蔽带来的限制。
引用
@article{arxiv.1604.08762,
title = {Direct Observation of Long-range field-effect from gate tuning of non-local conductivity},
author = {Lin Wang and Ignacio Gutiérrez-Lezama and Céline Barreteau and Dong-Keun Ki and Enrico Giannini and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.08762},
year = {2016}
}
备注
To appear in Physical Review Letters soon (Published online October 19th, 2016), 10 pages, 8 figures, including the Supplemental Material