氧化物二维电子系统中载流子密度与无序度的双栅调控
强关联电子
2018-07-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
载流子密度与无序度是控制关联二维电子系统性质的两个关键参数。为了分离它们对量子现象各自的贡献，需要对这两个参数进行独立调节。在此，通过利用作用于导电的LaAlO3/SrTiO3异质界面的液/固混合电学双栅结构，我们获得了一个额外的自由度，可在独立于载流子密度的情况下强烈改变电子约束轮廓从而改变界面散射强度。双栅控制的非线性霍尔效应是这一轮廓的直接体现，并可通过泊松-薛定谔子带模型定量理解。特别地，SrTiO3的大非线性介电响应使得可调的密度与无序度范围非常宽，远超传统半导体。我们的研究为理解LaAlO3/SrTiO3界面上报道的多种现象提供了广阔框架。
引用
@article{arxiv.1807.08345,
title = {Dual-Gate Modulation of Carrier Density and Disorder in an Oxide Two-Dimensional Electron System},
author = {Zhuoyu Chen and Hongtao Yuan and Yanwu Xie and Di Lu and Hisashi Inoue and Yasuyuki Hikita and Christopher Bell and Harold Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.08345},
year = {2018}
}