氧化物绝缘体与SrTiO$_{3}$之间金属界面处的霍尔电阻量子化
材料科学
2016-08-31 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在氧化物绝缘体与SrTiO3之间界面形成的二维金属为氧化物电子学提供了新机遇。然而，量子霍尔效应——被限制在二维中的电子最引人入胜的效应之一——在这些复杂氧化物异质界面上仍未得到充分探索。在此，我们报道了基于调制掺杂的非晶-LaAlO/SrTiO异质结构的SrTiO异质界面中量子化霍尔电阻的实验观测，该结构同时展现出超过10000 cm/Vs的高电子迁移率和约10 cm量级的低载流子密度。连同明确的舒布尼科夫-德哈斯振荡，量子化霍尔电阻的间距表明该界面由具有十个平行导电二维子带的单量子阱组成。这为导电氧化物界面的电子结构提供了新见解，并代表了设计和理解先进氧化物器件的重要一步。
引用
@article{arxiv.1603.02850,
title = {Quantization of Hall Resistance at the Metallic Interface between an Oxide Insulator and SrTiO$_{3}$},
author = {Felix Trier and Guenevere E. D. K. Prawiroatmodjo and Zhicheng Zhong and Merlin von Soosten and Dennis Valbjørn Christensen and Arghya Bhowmik and Juan Maria García Lastra and Yunzhong Chen and Thomas Sand Jespersen and Nini Pryds},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.02850},
year = {2016}
}