导电LaAlO_{3}/SrTiO_{3}界面中的塞贝克效应
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 强关联电子
摘要
在绝缘氧化物界面处观察到金属行为，引发了全球范围内揭示这些系统物理机制的努力，以澄清一些仍悬而未决的问题，其中包括导电系统的维度特征。为了解决这个问题，我们测量了LaAlO_{3}/SrTiO_{3}界面以及作为对比的掺杂SrTiO_{3}体单晶中的电输运（塞贝克效应、霍尔效应和电导率）。在这些实验中，利用背栅几何结构中的场效应调控载流子浓度。在77 K下对所有实验数据的综合分析表明，导电层的厚度约为7 nm，并且塞贝克效应数据可以用二维（2D）态密度很好地描述。我们发现，背栅电压不仅有效改变电荷密度，还改变导电层的厚度，在77 K下使用-4至+4 MV/m的电场时，厚度变化约2倍。在界面处未观察到因电子约束导致的塞贝克效应增强，也未观察到二维量子化台阶的证据。
引用
@article{arxiv.1002.1909,
title = {Seebeck effect in the conducting LaAlO_{3}/SrTiO_{3} interface},
author = {I. Pallecchi and M. Codda and E. Galleani d'Agliano and D. Marre' and A. D. Caviglia and N. Reyren and S. Gariglio and J. -M. Triscone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1909},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 5 figures