LaAlO$_3$/SrTiO$_3$界面处的导电沟道
强关联电子
2015-06-17 v1 材料科学
摘要
通过改变沟道厚度，研究了 LaAlO/SrTiO界面处二维电子气中的电子局域化现象，以确定导电沟道的性质。在 NdGaO (110) 衬底上生长 SrTiO层，并覆盖 LaAlO帽层。当 SrTiO厚度个晶胞时，界面处的大多数电子处于局域化状态；但当 SrTiO层数为 8-16 时，自由载流子密度接近 cm，该值对应于界面处每个晶胞 0.5 个电子的电荷转移。当 SrTiO厚度个晶胞时，离域电子数再次减少。因此， nm 的导电沟道位于界面下方显著深处。结果用 Anderson 局域化以及迁移率边相对于费米能级的位置进行了解释。
引用
@article{arxiv.1308.4755,
title = {The Conducting Channel at the LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ Interface},
author = {Z. Huang and X. Renshaw Wang and Z. Q. Liu and W. M. Lü and S. W. Zeng and A. Annadi and W. L. Tan and X. P. Qiu and Y. L. Zhao and M. Salluzzo and J. M. D. Coey and T. Venkatesan and Ariando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.4755},
year = {2015}
}
备注
Main: 19 pages, 4 figures Supplementary: 14 pages, 10 figures