LaAlO3-SrTiO3界面电子系统的金属-绝缘体相变
材料科学
2013-05-29 v1
摘要
我们报道了LaAlO3-SrTiO3界面电子系统中的金属-绝缘体相变，其载流子密度由栅极电场调控。在低于0.5-1.5 * 10^13/cm^2的临界载流子密度n_c时，在场效应器件中形成漏-源沟道的LaAlO3-SrTiO3界面是非欧姆的。零沟道偏压下的微分电阻在载流子密度2%的变化范围内发散。当高于n_c时，欧姆沟道的电导率具有类金属的温度依赖性；而当低于n_c时，仅在高于阈值电场时才出现电导率。对于给定厚度的LaAlO3层，电导率遵循sigma_0 ~(n - n_c)/n_c的特征。我们发现该金属-绝缘体相变不同于半导体二维系统中的相变。
引用
@article{arxiv.1009.0709,
title = {Metal-Insulator Transition of the LaAlO3-SrTiO3 Interface Electron System},
author = {Y. C. Liao and T. Kopp and C. Richter and A. Rosch and J. Mannhart},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0709},
year = {2013}
}
备注
4 figures