重访 LaAlO3/SrTiO3 界面的金属 - 绝缘体相变:一项杂化泛函研究
强关联电子
2013-07-18 v1 材料科学
摘要
我们利用密度泛函理论研究了 LaAlO3/SrTiO3 界面的电子性质。与以往依赖(半)局域泛函和 GGA+U 方法的研究不同,本文采用一种新近开发的杂化泛函来确定电子结构。该方法具有显著优势,能够在无参数的前提下同等地处理金属态和绝缘态多层结构。与基于半局域 GGA 泛函的计算相比,我们的杂化泛函计算使绝缘体系的带隙显著增大。电子结构的细节显示出与 GGA 计算结果存在实质性偏差。这令所有基于半局域泛函的既往结果受到严重质疑。特别是,利用刚性能带移动(“剪刀算符”)进行的修正无法得出有效结果。
引用
@article{arxiv.1307.4352,
title = {Metal-insulator transition at the LaAlO3/SrTiO3 interface revisited: A hybrid functional study},
author = {F. Cossu and U. Schwingenschlögl and V. Eyert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.4352},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 4 figures