混合密度泛函计算的 Cr 掺杂 V2O3 金属 - 绝缘体相变
强关联电子
2013-03-22 v1
摘要
利用屏蔽交换 (sX) 混合泛函计算了倍半氧化钒在不同相下的电子结构。该混合泛函重现了所有三个相的电子性质：顺磁金属 (PM) 相、反铁磁绝缘相以及 Cr 掺杂的顺磁绝缘 (PI) 相。Cr 掺杂 V2O3 的全弛豫超胞模型在替代 Cr 原子周围显示出极化子畸变，这种局部应变驱动了 PI-PM 相变。计算得出的 PI 相带隙为 0.15eV，与实验结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1303.5320,
title = {Metal Insulator Transition of Cr doped V2O3 calculated by hybrid density functional},
author = {Yuzheng Guo and Stewart J. Clark and John Robertson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.5320},
year = {2013}
}