(V$_{1-x}$Cr$_x$)$_2$O$_3$ 中的阻挫磁性
强关联电子
2019-02-27 v3
摘要
V2O3 著名地呈现出顺磁相对反铁磁、金属相对绝缘体这四种物质状态组合，响应于百分之级别掺杂、GPa 量级压力及 300 K 以下温度。利用飞行时间中子谱学结合磁相互作用的密度泛函理论计算，我们测绘并分析了铬稳定反铁磁与顺磁绝缘相(AFI 与 PI)中宽能量与动量转移范围内的非弹性磁中子散射截面。我们的结果揭示了 PI 相的重要磁阻挫与简并，其在 K 处因显著磁弹性耦合由菱方到单斜转变而解除。这使人认识到磁阻挫是 顺磁相的固有属性，并在压制磁长程有序温度及暴露出供顺磁 Mott 金属-绝缘体转变发生的大相空间中起关键作用。
引用
@article{arxiv.1804.08605,
title = {Frustrated Magnetism in Mott Insulating (V$_{1-x}$Cr$_x$)$_2$O$_3$},
author = {J. C. Leiner and H. O. Jeschke and R. Valenti and S. Zhang and A. T. Savici and J. Y. Y. Lin and M. B. Stone and M. D. Lumsden and Jiawang Hong and O. Delaire and Wei Bao and C. L. Broholm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.08605},
year = {2019}
}
备注
16 pages, 11 figures