非线性介电环境中场效应器件横向载流子密度分布的静电调控
介观与纳米尺度物理
2020-03-05 v1 强关联电子
摘要
我们研究了非线性介电环境中静电门控对二维器件中载流子横向分布的影响。我们利用托马斯-费米近似(Thomas-Fermi approximation)计算电荷分布以建模系统的静电学。由栅极产生的电场线在器件边缘聚焦,导致边缘附近的耗尽相比器件中心增强。该效应强烈依赖于器件尺寸以及衬底的非线性介电常数。我们利用门控 LaAlO/SrTiO 异质结构中电流分布的扫描超导干涉器件(SQUID)显微图像实验演示了这一效应。
引用
@article{arxiv.2003.01756,
title = {Electrostatic modulation of the lateral carrier density profile in field effect devices with non-linear dielectrics},
author = {Eylon Persky and Hyeok Yoon and Yanwu Xie and Harold Y. Hwang and Jonathan Ruhman and Beena Kalisky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.01756},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures