绝缘栅场效应晶体管中负微分电子迁移率的后果
强关联电子
2023-11-21 v2 无序系统与神经网络
摘要
我们使用场模型研究了绝缘栅场效应晶体管(FETS)中负微分电子迁移率的后果。我们表明,与单调速度饱和模型的情况相反,短沟道FET中的场分布即使在高的漏源电压下也可以用缓变沟道近似来描述。短沟道FET的电流-电压特性应该有一个具有负斜率的支路。该FET表现出负微分电阻,并且可能根据所施加的电压表现出对流或绝对不稳定性。涨落的增长由具有负有效扩散系数的扩散定律控制。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603823,
title = {Consequences of negative differential electron mobility in insulated gate field effect transistors},
author = {A. S. Furman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603823},
year = {2023}
}
备注
not valuable