并五苯单晶场效应迁移率的极限
凝聚态物理
2014-10-13 v1
摘要
我们报道了在并五苯单晶上制备和表征的场效应晶体管(FET)。这些FET表现出空穴导电性,室温有效迁移率高达0.30 cm²/Vs,开关比高达5×10⁶。负栅压-50V显著降低了激活能(Ea),在接近室温时降至0.143 eV。假设陷阱载流子与自由载流子之间处于热平衡,由Ea = 0.143 eV,我们发现自由载流子仅占注入载流子总数的0.4%。结合有效迁移率约0.3 cm²/Vs,这给出了约75 cm²/Vs的固有自由载流子迁移率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305402,
title = {Limit of Field Effect Mobility on Pentacene Single Crystal},
author = {V. Y. Butko and X. Chi and D. V. Lang and A. P. Ramirez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305402},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 3 figures. Sent to Applied Physics Letters