由“flip-crystal”场效应技术测量的有机单晶空穴迁移率
其他凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
我们报告了使用“flip-crystal”方法制备的单晶有机场效应晶体管 (OFET)，该方法最小化了晶体的处理，避免了对晶体的直接加工以防止损伤场效应器件的电气特性。通过对基板进行化学处理，确保器件质量可重复。即使对初始材料的纯化有限，也在Rubrene、邻苯二甲烷和五碳烷单晶上测得了 10.7、1.3 和 1.4 cm^2/Vs 的空穴迁移率。四端测量允许提取“固有”晶体管通道电阻和寄生串联接触电阻。本研究所采用的方法显示其作为研究接近有机单晶表面的场积聚载流子输运的通用方法具有潜力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403210,
title = {Hole mobility in organic single crystals measured by a "flip-crystal" field-effect technique},
author = {C. Goldmann and S. Haas and C. Krellner and K. P. Pernstich and D. J. Gundlach and B. Batlogg},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403210},
year = {2009}
}
备注
26 pages, 7 figures